懂了。
最关键的是，整个产业的发展和升级速度，确实能够完成他们宣称的目标。
晶体管的密度真的两年就能翻一倍。
他们甚至能够持续数十年始终保持这个升级速度。
这就让所有没有经验的投资者都相信，投资这个产业绝对不会亏。
所以摩尔定律虽然不是科学规律，只是经验总结和发展计划周期，但是却发挥了宛如定律的作用。
极大的推动了半导体产业的持续稳定发展，扩大了半导体产业的影响力。
形成了一个事实上的行业发展标准。
那么现在的大明？
大明本来就有各种各样的计划，不需要专门喊一个两年计划的口号。
与此同时，大明目前的整个半导体产业，都完全在大明皇室和朝廷的完全掌控之中。
所有的厂商都是同一个系统内的，本来就在理所当然的互相配合。
也不需要专门喊口号让大家保持同步。
最后，摩尔既然是供应链周期和行业口号，并且在数十年内都基本保持住了。
那这个速度就不是半导体产业升级速度的极限。
肯定是留有余量的。
最起码，在持续四十年的时间内，intel自己显然是留有余量的。
不然intel也不会有牙膏厂的绰号。
在历史上，摩尔在1965提出的口号，是一年翻一倍。
后来可能是发现这个速度难以实现，或者其他的厂商可能跟不上，就在1975年改成了两年翻一倍。
到了1997年的时候，他再次做了非正式的折中化修正，改成了一年半翻一倍。
实际上从七十年代开始算起，直到新世纪初的总共四十年里面，晶体管的增加速度都是两年翻一倍。
大明现在的情况与另一个世界截然不同。
半导体产业有大明皇帝和朝廷直接的推动，无论是资金和政策都是完全敞开了供应的。
相应人员不需要考虑想办法拉投资。
还有新产业集团统一协调研发和生产节奏，不需要在多方厂商关系协调上浪费时间。
关键有大明皇帝直接给出的正确方向。
所以大明有机会直接实现单位面积晶体管数量一年翻一倍的目标。
在这个内部会议上，朱靖垣按照自己前世的经验，把自己知道的可能有效的技术方向都列出来。
让汪莱安排多组人员分头去攻关这些技术。
首先提出步进式光刻机的设计逻辑，提出微缩光刻的技术方向。
原有的光刻工艺中，物理机械手段直接生产的电路板的母版，其精度是有其极限同时也相对不容易提升的。
但是可以通过曲面透镜投影缩放的方式，照着大模板来生产更小的芯片。
要求光学厂商配合研发更高精度的镜头。
然后直接提出浸润式光刻技术的逻辑，让工匠从一开始就直接去走浸润式光刻的方向。
按照光刻机的逻辑，光源的波长越短，就能够生产出制程越小的芯片。
但是又不能无限短，最短的X射线会直接穿过物体，导致无法通过透镜和反射来缩放图纸。
只能在工艺水平大幅度提升后，用在少数有特殊需求的半导体产品上。
常规光源的升级过程，就是不断地寻找无限接近X射线，但是又不能出现X射线现象的光源的过程。
最早的光刻机光源是可见的蓝光，波长是450纳米，实现了微米级的工艺。
在微缩光刻时代，迅速转入不可见的紫外光时代。
波长降低到了365纳米，实现了800纳米到280纳米的工艺。
之后很长的一段时间内，就是在紫外光的范围内，持续不断地缩短波长。
直到波长为193纳米的节点的时候，已经可以用来生产280纳米到65纳米制程芯片了。
如果按照这个方向继续下去，本来应该去寻找波长157纳米的光源，开始生产45纳米及以下的芯片。
但是当时的光源开发公司，在研制波长157纳米的光源时遇到了困难，或者说是瓶颈。
当时的光刻机产业的领头羊尼康在157纳米光源上头铁了很久。
而台积电的林本坚发现了另外一个方向。
光进入水中时会发生折射，光源的波长也会有相应的缩短。
所以193纳米的光穿过一层水之后，就有了等效于134纳米波长光源的效果。
于是，台积电和阿斯麦尔合作，以林本坚提出的方向为目标，研发出了浸润式光刻机。
意思就是泡在水里面光刻。
继续使用193纳米的光源，推动芯片制程从45纳米继续上升，最终的极限做到了7纳米工艺。
直到深入5纳米制程范围的时候，193纳米的深紫外光源才彻底走到了尽头。
半导体产业不得不尝试更换波长13.5纳米的极紫外光源。
所以对于大明而言，当然可以尽快用攻关浸润式光刻技术，但是在新光源的研究上也要不断努力。
另外，前世所有用过的已经成功的路，当然是已经确定可行的路。
前世没有采用的道路，也未必是不可行的。
以现在大明的资源，对于后世出现过其他方案，也可以让工部有选择尝试。
说不定能够实现比原有道路更好的效果呢？
比如说“同步辐射光源”设施，本身作为一个其他方面的科研设施，其原理使得其能放出各种波长的光。
包括最为接近X光的“极紫外光”。
实际上，历史上早期的光刻机技术验证，也曾经用过同步辐射光源去做研究和验证。
但是同步辐射光源的性质注定了难以商业化。
大明这边也可以尝试，建设大规模的同步辐射光源，在它的基础和原理上讨论，各种光源和光刻的可行性。
第五八九章 摩尔定律和半导体工艺制程-->>(第2/3页)，请点击下一页继续阅读。